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  • MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器
    MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器

    MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器:這款四通道探測(cè)器基于四個(gè)芯片,每個(gè)芯片包含44個(gè)硅熱電偶。通過(guò)在TO39封裝中填充氪氣,IR熱電堆實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1.61*10^8 cm√Hz/W的探測(cè)度和高達(dá)39 V/W的靈敏度,同時(shí)具有非常好的性?xún)r(jià)比。該探測(cè)器適用于車(chē)輛尾氣測(cè)量、過(guò)程分析或工業(yè)氣體測(cè)量等多種應(yīng)用,在-20至85°C的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作,因此在NDIR組件產(chǎn)品組合中提供了額外的選擇。

    更新時(shí)間:2024-09-26訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):281
  • MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器
    MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器

    MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器:這款基于MEMS技術(shù)的高靈敏度單通道熱電堆探測(cè)器,配備了80個(gè)鉍銻合金/銻熱電偶。其較高的探測(cè)度高達(dá)12.2*10^8 cmHz^1/2/W,以及高達(dá)501 V/W的靈敏度,得益于兩個(gè)關(guān)鍵因素。該探測(cè)器具有針對(duì)光學(xué)系統(tǒng)優(yōu)化的薄膜——輻射敏感的熱電偶對(duì)齊于一個(gè)焦點(diǎn)。氪氣填充進(jìn)一步提高了熱電堆的探測(cè)度和靈敏度。

    更新時(shí)間:2024-09-26訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):291
  • MTS1TEMP56 熱電堆探測(cè)器
    MTS1TEMP56 熱電堆探測(cè)器

    MTS1TEMP56 熱電堆探測(cè)器:基于MEMS的MTS1TEMP56檢測(cè)紅外輻射,用于非接觸式溫度測(cè)量。56個(gè)硅熱電堆吸收入射的輻射能量。集成的質(zhì)量吸收器確保將輻射能量有效地轉(zhuǎn)換為熱能。熱電偶將這些熱能轉(zhuǎn)換為電能,作為測(cè)量信號(hào)輸出。 對(duì)于醫(yī)療和生命科學(xué)應(yīng)用或建筑自動(dòng)化中每年需求量超過(guò)50000件的大批量應(yīng)用,單通道熱電堆是較好選擇。TO46封裝的小尺寸使這個(gè)組件特別適合移動(dòng)設(shè)備。

    更新時(shí)間:2024-09-26訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):318
  • HermeSEAL JSIR 350-4紅外輻射源 紅外光源
    HermeSEAL JSIR 350-4紅外輻射源 紅外光源

    HermeSEAL JSIR 350-4紅外輻射源 紅外光源:高性能紅外輻射源,采用高性能納米非晶碳膜片。該膜片能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)850°C的溫度,提供高且長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出。JSIR 350紅外紅外輻射源在HermeSEAL®選項(xiàng)中是一種高性能紅外輻射源,特別適用于醫(yī)學(xué)、工業(yè)和航空航天領(lǐng)域中要求苛刻的氣體分析應(yīng)用。

    更新時(shí)間:2024-09-26訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):443
  • JSIR 350-4 紅外輻射源 紅外光源
    JSIR 350-4 紅外輻射源 紅外光源

    JSIR 350-4 紅外輻射源 紅外光源:高性能紅外輻射源,采用高性能納米非晶碳膜片。該膜片能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)850°C的溫度,提供高且長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出。JSIR 350紅外紅外輻射源非常適合用于醫(yī)學(xué)、工業(yè)以及其他高要求應(yīng)用領(lǐng)域的各種氣體分析應(yīng)用。

    更新時(shí)間:2024-09-26訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):452
  • 基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型
    基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型

    基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型:JSIR340-4型經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的紅外輻射源專(zhuān)為NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用而優(yōu)化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法?;贑MOS的紅外輻射源的膜片可達(dá)到高達(dá)800°C的溫度。它能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出,用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測(cè)過(guò)程氣體。

    更新時(shí)間:2024-09-25訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):420
  • 基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝
    基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝

    基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝:JSIR340-4型經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的紅外輻射源專(zhuān)為NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用而優(yōu)化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法?;贑MOS的紅外輻射源的膜片可達(dá)到高達(dá)800°C的溫度。它能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出,用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測(cè)過(guò)程氣體及相關(guān)氣體。帶有標(biāo)準(zhǔn)TO封裝和蓋子的包裝版本適合測(cè)量距離長(zhǎng)達(dá)2厘米。

    更新時(shí)間:2024-09-25訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):445
  • 基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝
    基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝

    基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝,硅ARC窗口:適用于NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型紅外輻射源。該發(fā)射器僅需250毫瓦輸入功率,也適合于移動(dòng)和手持設(shè)備。這款基于CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達(dá)到高達(dá)800°C的溫度,具有長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射功率和短的時(shí)間常數(shù)。對(duì)于高容量應(yīng)用,如樓宇空調(diào)、自動(dòng)化等,JSIR340因其出色的性?xún)r(jià)比而非常適合。

    更新時(shí)間:2024-09-25訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):436
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